ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFH12N100
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFH12N100-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ສິນຄ້າ:
12819232
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFH12N100 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD (IXFH)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFH12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
IXFH12N100-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW6N95K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
280
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW6N95K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.17
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFPG30PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
124
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFPG30PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.48
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW11NK90Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
550
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW11NK90Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.17
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXKP24N60C5M
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220ABFP
IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
IXFH20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD