ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFC80N08
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFC80N08-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
ສິນຄ້າ:
12821502
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFC80N08 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
230W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ISOPLUS220™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
ISOPLUS220™
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFC80N08
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK100E08N1,S1X
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
57
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK100E08N1,S1X-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.64
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
AOTF288L
ຜູ້ຜະລິດ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
AOTF288L-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.75
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFE36N100
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
IXTP15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
