ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFB70N60Q2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFB70N60Q2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™
ສິນຄ້າ:
12819587
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFB70N60Q2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Q2 Class
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
890W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PLUS264™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-264-3, TO-264AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFB70
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STY60NM60
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STY60NM60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
13.47
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCH104N60F-F085
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
86
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCH104N60F-F085-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.01
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFB82N60P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
220
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFB82N60P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
21.90
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTH26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO247
IXTP50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO220AB
IXKT70N60C5-TUB
MOSFET N-CH 600V 68A TO268
