IXFB120N50P2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFB120N50P2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFB120N50P2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™

ສິນຄ້າ:

12907618
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IXFB120N50P2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™, PolarHV™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1890W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PLUS264™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-264-3, TO-264AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFB120

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
25
ຊື່ ອື່ນໆ
-IXFB120N50P2

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFB132N50P3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFB132N50P3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
15.14
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

IRFBC30STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP23N50L

MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRF610S

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay-siliconix

IRF730STRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK