IRFB38N20DPBF
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFB38N20DPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

International Rectifier

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFB38N20DPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

3600 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12947374
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRFB38N20DPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
226
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IRFB38N20DPBF
INFINFIRFB38N20DPBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
fairchild-semiconductor

FDD3706

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

fairchild-semiconductor

NDS8425

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FCPF260N65FL1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F