IRFB38N20DPBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFB38N20DPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

International Rectifier

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFB38N20DPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

3600 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12947374

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRFB38N20DPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

43A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

54mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2900 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.8W (Ta), 300W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRFB38N20DPBF Datasheet

ບັນທຶກ HTML

IRFB38N20DPBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

226

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-IRFB38N20DPBF

INFINFIRFB38N20DPBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

fairchild-semiconductor

FDD3706

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDB8870

MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB

fairchild-semiconductor

NDS8425

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FCPF260N65FL1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220F