ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF60DM206
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
International Rectifier
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF60DM206-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 130A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
ສິນຄ້າ:
51208 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12946577
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF60DM206 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
StrongIRFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6530 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
96W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DirectFET™ Isometric ME
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric ME
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
208
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IRF60DM206
INFIRFIRF60DM206
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDMS7670
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDPF51N25YDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
FDP025N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1