ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SPI21N10
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SPI21N10-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
ສິນຄ້າ:
12807112
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SPI21N10 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 44µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
865 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
90W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO262-3-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SPI21N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
IFEINFSPI21N10
SPI21N10IN
2156-SPI21N10-IT
SPI21N10XK
SPI21N10X
SP000013843
SPI21N10-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF540ZLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
862
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF540ZLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.53
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF540NLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5178
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF540NLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.63
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SPD50N03S2L06GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IRLU9343PBF
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
