ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SPD09P06PLGBTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SPD09P06PLGBTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ສິນຄ້າ:
6724 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12862821
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SPD09P06PLGBTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SPD09P06
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SPD09P06PLG
SPD09P06PL GCT-DG
SPD09P06PL G-DG
SPD09P06PL GDKR-DG
SPD09P06PL GCT
SPD09P06PL G
SPD09P06PL GTR-DG
SPD09P06PL GDKR
SP000443928
SPD09P06PLGBTMA1CT
SPD09P06PLGBTMA1TR
SPD09P06PLGBTMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
RJK5026DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
