ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SPD08P06PGBTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SPD08P06PGBTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ສິນຄ້າ:
9057 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12806775
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SPD08P06PGBTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8.83A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO252-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SPD08P06
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SPD08P06PGBTMA1DKR
SPD08P06PGINCT
SPD08P06PGINDKRINACTIVE
SP000096087
SPD08P06PG
2156-SPD08P06PGBTMA1
SPD08P06PGBTMA1CT
SPD08P06PGINDKR
SPD08P06PGINTR-DG
INFINFSPD08P06PGBTMA1
SPD08P06P G
SPD08P06PGINCT-DG
SP000450534
SPD08P06PGINTR
SPD08P06PGXT
SPD08P06PGINDKR-DG
SPD08P06PGINTRINACTIVE
SPD08P06P G-DG
SPD08P06PGBTMA1TR
SPD08P06PGINCTINACTIVE
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPU50R3K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
IRFB23N20D
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
IRF3709ZL
MOSFET N-CH 30V 87A TO262
