ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SPB11N60C3ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
2703 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12806600
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SPB11N60C3ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SPB11N60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTA14N60P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
235
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTA14N60P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.12
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6011ENJTL
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6011ENJTL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.56
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB13NM60N
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB13NM60N-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCB11N60TM
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
135
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCB11N60TM-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.43
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB13N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2210
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB13N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.86
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
SPP08N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
