ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SPB02N60S5ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SPB02N60S5ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ສິນຄ້າ:
87 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12806637
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SPB02N60S5ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO263-3-2
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SPB02N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SPB02N60S5
SPB02N60S5INTR-DG
SPB02N60S5ATMA1CT
SPB02N60S5INCT
SP000012388
SPB02N60S5INTR
SPB02N60S5-DG
SPB02N60S5INDKR
SPB02N60S5ATMA1TR
SPB02N60S5XT
SPB02N60S5INCT-DG
SPB02N60S5ATMA1DKR
SPB02N60S5INDKR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD3N62K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3586
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD3N62K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.36
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF8734TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IRF7807VPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRL3103SPBF
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
