ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4435DYTRPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4435DYTRPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

ສິນຄ້າ:

43578 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12806352

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI4435DYTRPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2320 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.5W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-SO

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SI4435

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI4435DYTRPBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

4,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SI4435DYPBFTR

SI4435DYPBFCT

SI4435DYPBFDKR

SP001573756

*SI4435DYTRPBF

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IRLR7807ZTRLPBF

MOSFET N-CH 30V 43A DPAK

infineon-technologies

SPA15N60CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP

infineon-technologies

IPP147N03L G

MOSFET N-CH 30V 20A TO220-3

infineon-technologies

SPB80N06S08ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3