ISC073N12LM6ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

ISC073N12LM6ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

ISC073N12LM6ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 13.4A (Ta), 86A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

ສິນຄ້າ:

4071 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13002850
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

ISC073N12LM6ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™ 6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.4A (Ta), 86A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Ta), 125W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ISC073

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-ISC073N12LM6ATMA1TR
448-ISC073N12LM6ATMA1DKR
448-ISC073N12LM6ATMA1CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
goford-semiconductor

G160P03KI

P-30V,-30A,RD(MAX)<16M@-10V,VTH-

diodes

DMP2037UFCL-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1616-6

goford-semiconductor

G220P02D2

P-20V,-8A,RD(MAX)<[email protected],VTH-