ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRLBD59N04ETRLP

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRLBD59N04ETRLP-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 40 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12806083

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRLBD59N04ETRLP ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

59A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2190 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

130W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263-5

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

800

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IRLR8103VTRR

MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

infineon-technologies

IRF6722STRPBF

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

infineon-technologies

IRLH6224TR2PBF

MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

infineon-technologies

IRL3803S

MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK