IRFSL3306PBF
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRFSL3306PBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRFSL3306PBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 120A TO262
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262

ສິນຄ້າ:

12805736
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRFSL3306PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
230W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-262
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRFSL3306

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001568072
448-IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFS7437TRL7PP

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRFS4228PBF

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3708PBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

infineon-technologies

IPW80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3