ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRFH6200TR2PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRFH6200TR2PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
ສິນຄ້າ:
12805811
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
88n1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRFH6200TR2PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10890 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PQFN (5x6)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
400
ຊື່ ອື່ນໆ
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SIR404DP-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
28137
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SIR404DP-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.74
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR3706PBF
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFS5615PBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRF1310NSTRR
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
