ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRFH5220TRPBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRFH5220TRPBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
ສິນຄ້າ:
12804742
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRFH5220TRPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1380 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PQFN (5x6)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-VQFN Exposed Pad
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001570846
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSC12DN20NS3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
11979
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.52
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDMS2672
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1825
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDMS2672-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.14
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFZ48NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
IPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
