ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRFH5110TR2PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRFH5110TR2PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
ສິນຄ້າ:
12818503
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRFH5110TR2PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3152 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PQFN (5x6)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
400
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001570790
IRFH5110TR2PBFCT
IRFH5110TR2PBFDKR
IRFH5110TR2PBFTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TPN1600ANH,L1Q
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1395
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TPN1600ANH,L1Q-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.30
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMT10H015LFG-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
37130
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMT10H015LFG-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.37
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR2405TRPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
IRFS3207ZTRRPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
