IRF8327STR1PBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF8327STR1PBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF8327STR1PBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12804599

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF8327STR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

14A (Ta), 60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1430 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DIRECTFET™ SQ

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

DirectFET™ Isometric SQ

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IRF8327S(TR)PBF

ບັນທຶກ HTML

IRF8327STR1PBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

IRF8327STR1PBFCT

IRF8327STR1PBFDKR

SP001565762

IRF8327STR1PBF-DG

IRF8327STR1PBFTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4

infineon-technologies

IRLR2908TRLPBF

MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

infineon-technologies

IPP80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

infineon-technologies

IRFU3607TRL701P

MOSFET N CH 75V 56A IPAK