ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF8113PBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF8113PBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12815285

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF8113PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Discontinued at Digi-Key

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

17.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 17.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2910 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.5W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-SO

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,800

ຊື່ ອື່ນໆ

SP001572234

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

microchip-technology

DN2450N8-G

MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA

texas-instruments

CSD16570Q5BT

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

infineon-technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

infineon-technologies

IRFR3708TRPBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK