ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF7807D1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF7807D1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12805472
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF7807D1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
FETKY™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Isolated)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
95
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001570520
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN3B04N8TA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2078
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN3B04N8TA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.40
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STS10N3LH5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4575
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STS10N3LH5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.40
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDS4672A
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
57500
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDS4672A-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.46
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF7403PBF
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
IRF7842TRPBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
IRFU1010Z
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
