IRF7465TRPBFXTMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF7465TRPBFXTMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF7465TRPBFXTMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

PLANAR 40<-<100V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

13269400
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRF7465TRPBFXTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
-
ຄຸນສົມບັດ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IRF7465TRPBFXTMA1TR
SP005876284

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF7465TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
19748
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF7465TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IMBG65R007M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

BSB028N06NN3GXUMA2

TRENCH 40<-<100V

infineon-technologies

IMW65R015M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMBG65R040M2HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET