ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF7465PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF7465PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12823404
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF7465PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Discontinued at Digi-Key
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,800
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001563554
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4464DY-T1-E3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
494
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4464DY-T1-E3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.46
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4464DY-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4464DY-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.47
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
LND150N3-G-P013
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
IRF6678TR1
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
IRF7240TR
MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
