ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF7379PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF7379PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12811232
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF7379PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
ພະລັງ - Max
2.5W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRF737
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
95
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001555260
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
IRF7316QTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
PMWD26UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP