ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF7353D1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF7353D1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12803034
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF7353D1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
FETKY™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Isolated)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
95
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001559814
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPL65R650C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
IPS65R600E6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3
IRF7821TR
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
