IRF6718L2TRPBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF6718L2TRPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF6718L2TRPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 25 V 61A (Ta), 270A (Tc) 4.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L6

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12815974

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF6718L2TRPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

61A (Ta), 270A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 150µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6500 pF @ 13 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DIRECTFET L6

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

DirectFET™ Isometric L6

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

IRF6718L2TRPBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

4,000

ຊື່ ອື່ນໆ

IRF6718L2TRPBFDKR

IRF6718L2TRPBFCT

IRF6718L2TRPBF-DG

IRF6718L2TRPBFTR

SP001523928

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

texas-instruments

CSD16411Q3

MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON

infineon-technologies

IRFS4410ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

infineon-technologies

IPD33CN10NGBUMA1

MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

infineon-technologies

IRLR2905TRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK