ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6712STR1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6712STR1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
ສິນຄ້າ:
12803557
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6712STR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 13 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ SQ
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric SQ
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IRF6712STR1PBF-DG
IRF6712STR1PBFCT
IRF6712STR1PBFTR
IRF6712STR1PBFDKR
SP001530880
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPU80R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
IPW50R399CPFKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
IRFR15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
