ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6711STR1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6711STR1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
ສິນຄ້າ:
12805867
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6711STR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 13 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ SQ
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric SQ
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001527012
IRF6711STR1PBFTR
IRF6711STR1PBFCT
IRF6711STR1PBFDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF6711STRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
International Rectifier
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4800
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF6711STRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.81
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRFZ44ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IPA80R750P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220
