ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6706S2TR1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6706S2TR1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
ສິນຄ້າ:
838 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12805106
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6706S2TR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT)
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1810 pF @ 13 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DirectFET™ Isometric S1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric S1
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IRF6706S2TR1PBFCT
IRF6706S2TR1PBFTR
SP001528294
IRF6706S2TR1PBFDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR4105TRL
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
IPU075N03L G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3