ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6674TR1PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6674TR1PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
ສິນຄ້າ:
12805938
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6674TR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ MZ
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric MZ
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
IRF6674TR1PBFTR
SP001571484
IRF6674TR1PBFCT
IRF6674TR1PBFDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF6674TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
13534
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF6674TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.35
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF1902GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
IRL530NSTRL
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
IRF6628TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
