IRF6665TR1PBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF6665TR1PBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF6665TR1PBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12806664

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF6665TR1PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

530 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DIRECTFET™ SH

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

DirectFET™ Isometric SH

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

IRF6665TR1PBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SP001564530

IRF6665TR1PBFCT

IRF6665TR1PBFDKR

IRF6665TR1PBFTR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

microchip-technology

VN2460N8-G

MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA

infineon-technologies

SPP11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

infineon-technologies

SPD07N60S5

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

infineon-technologies

IRLR7843TR

MOSFET N-CH 30V 161A DPAK