ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6646TR1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6646TR1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
ສິນຄ້າ:
12805892
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6646TR1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ MN
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric MN
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001576866
IRF6646TR1-DG
IRF6646
IRF6646TR1CT
IRF6646TR1INACTIVE
IRF6646TR1TR
IRF6646-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
2 (1 Year)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF6646TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
International Rectifier
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
433574
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF6646TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.28
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFI4121H-117P
MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
IRF3000
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO
IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
