IRF6628TRPBF

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF6628TRPBF

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF6628TRPBF-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13064171

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF6628TRPBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HEXFET®

ແພັກເກດ

Tape & Reel (TR)

ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

27A (Ta), 160A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3770 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-40°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

DIRECTFET™ MX

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

DirectFET™ Isometric MX

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

IRF6628TRPBF-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

4,800

ຊື່ ອື່ນໆ

IRF6628TRPBFCT

IRF6628TRPBFTR

IRF6628TRPBFDKR

SP001526838

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IPP114N03L G

MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3

infineon-technologies

IRFR3710ZTRR

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

infineon-technologies

IPD70R600CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3

IRFC3206EB

MOSFET N-CH WAFER