ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6626
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6626-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 72A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
ສິນຄ້າ:
12805165
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6626 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16A (Ta), 72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2380 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ ST
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric ST
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,800
ຊື່ ອື່ນໆ
IRF6626TR
SP001528826
IRF6626CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN5R0-30YL,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2980
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN5R0-30YL,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN6R0-30YL,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3630
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN6R0-30YL,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR9024NTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRFHM9391TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
