ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRF6604TR1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRF6604TR1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
ສິນຄ້າ:
12804023
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRF6604TR1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2270 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DIRECTFET™ MQ
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
DirectFET™ Isometric MQ
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001525412
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
