IRF5850TR
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF5850TR

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF5850TR-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

12805827
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRF5850TR ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HEXFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 P-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
ພະລັງ - Max
960mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRF58

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001564468

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC6310P
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7945
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC6310P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDC6312P
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7879
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDC6312P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRF7756TRPBF

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

infineon-technologies

IRF8313PBF

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

infineon-technologies

IRF9953

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO

infineon-technologies

IRFHS9351TR2PBF

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN