IRF40H233ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF40H233ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF40H233ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 40V 65A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-4

ສິນຄ້າ:

12988217
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IRF40H233ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
StrongIRFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 20V
ພະລັງ - Max
3.8W (Ta), 50W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-4
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRF40

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IRF40H233ATMA1TR
SP005537810

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSC059N04LSGATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
44864
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSC059N04LSGATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

DMN5L06VKQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563

microchip-technology

MSCSM120HM50T3AG

SIC 4N-CH 1200V 55A

goford-semiconductor

G05NP06S2

MOSFET N/P-CH 60V 5A/3.1A 8SOP