IRF200B211

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IRF200B211

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IRF200B211-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

4746 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12802645

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IRF200B211 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

HEXFET®, StrongIRFET™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 50µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790 pF @ 50 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

80W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IRF200

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

SP001561622

INFIRFIRF200B211

2166-IRF200B211-448

2156-IRF200B211

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IPP65R280C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3

infineon-technologies

BSC0901NSIATMA1

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

infineon-technologies

IRF6636TR1

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

epc

EPC2034

GANFET N-CH 200V 48A DIE