ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IQE030N06NM5CGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IQE030N06NM5CGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
ສິນຄ້າ:
4960 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12997171
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IQE030N06NM5CGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
21A (Ta), 137A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount, Wettable Flank
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TTFN-9-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IQE030N
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IQE030N06NM5CGATMA1TR
SP005399428
448-IQE030N06NM5CGATMA1CT
448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPAN60R280PFD7SXKSA1
CONSUMER PG-TO220-3
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
