ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IQE013N04LM6CGATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IQE013N04LM6CGATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
ສິນຄ້າ:
5494 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12945765
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IQE013N04LM6CGATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 51µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount, Wettable Flank
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TTFN-9-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IQE013
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP005340908
448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR
448-IQE013N04LM6CGATMA1CT
448-IQE013N04LM6CGATMA1TR
2156-IQE013N04LM6CGATMA1-448
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPW65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPW65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
IPP65R060CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247