IPW65R190C7XKSA1

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPW65R190C7XKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPW65R190C7XKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

ສິນຄ້າ:

220 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12805488

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IPW65R190C7XKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

CoolMOS™ C7

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 290µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1150 pF @ 400 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

72W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-TO247-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IPW65R190

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ຊື່ ອື່ນໆ

2156-IPW65R190C7XKSA1

SP001080142

INFINFIPW65R190C7XKSA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IPP100N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3

IRF7471PBF

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

infineon-technologies

IRFB7437GPBF

MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

infineon-technologies

IPI65R110CFDXKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3