IPW65R095C7XKSA1

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPW65R095C7XKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPW65R095C7XKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 24A TO247

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

ສິນຄ້າ:

2486 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12816657

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IPW65R095C7XKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

CoolMOS™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

24A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2140 pF @ 400 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

128W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PG-TO247-3-1

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IPW65R095

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

IPW65R095C7XKSA1-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

IPW65R095C7XKSA1

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ຊື່ ອື່ນໆ

448-IPW65R095C7XKSA1

SP001080128

IPW65R095C7XKSA1-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

infineon-technologies

IRF540Z

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

texas-instruments

CSD18503KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

texas-instruments

CSD17575Q3

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

texas-instruments

CSD17505Q5A

MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON