IPU60R1K4C6AKMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPU60R1K4C6AKMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPU60R1K4C6AKMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

ສິນຄ້າ:

12804889
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPU60R1K4C6AKMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
CoolMOS™ C6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
28.4W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO251-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPU60R

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPU60R1K4C6AKMA1
SP001292874
IFEINFIPU60R1K4C6AKMA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STU6N65M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
543
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STU6N65M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IPP77N06S212AKSA2

MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3

infineon-technologies

IRFS3307PBF

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPL60R185CFD7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON

infineon-technologies

IRF2805PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB