IPT029N08N5ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPT029N08N5ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPT029N08N5ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

ສິນຄ້າ:

12803084
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPT029N08N5ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™ 5
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
52A (Ta), 169A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 108µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
168W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOF-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPT029

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001581494
IPT029N08N5ATMA1DKR
INFINFIPT029N08N5ATMA1
IPT029N08N5ATMA1CT
IPT029N08N5ATMA1-DG
IPT029N08N5ATMA1TR
2156-IPT029N08N5ATMA1

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFS7534-7PPBF

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IRF7469TRPBF

MOSFET N-CH 40V 9A 8SO

infineon-technologies

IPI120N04S302AKSA1

MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

infineon-technologies

IRF7526D1TRPBF

MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8