ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPT017N12NM6ATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPT017N12NM6ATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
ສິນຄ້າ:
12992708
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPT017N12NM6ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™ 6
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 275µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 60 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Ta), 395W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOF-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPT017
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPT017N12NM6ATMA1TR
448-IPT017N12NM6ATMA1CT
448-IPT017N12NM6ATMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ISC037N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISZ106N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISC104N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
