IPT014N08NM5ATMA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPT014N08NM5ATMA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPT014N08NM5ATMA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 80 V 37A (Ta), 331A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

ສິນຄ້າ:

2209 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12965557
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPT014N08NM5ATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™ 5
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
37A (Ta), 331A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14000 pF @ 40 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOF-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IP5014N

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPT014N08NM5ATMA1CT
448-IPT014N08NM5ATMA1DKR
SP005538332
448-IPT014N08NM5ATMA1TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

infineon-technologies

IPD60R600PFD7SAUMA1

CONSUMER PG-TO252-3

nexperia

PSMN3R5-80YSFX

NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,

vishay-siliconix

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK