ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPS65R650CEAKMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPS65R650CEAKMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 700 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
ສິນຄ້າ:
12804222
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPS65R650CEAKMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
86W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO251-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPS65R650
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001422888
INFINFIPS65R650CEAKMA1
2156-IPS65R650CEAKMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPS70R600P7SAKMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
177
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPS70R600P7SAKMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.27
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IPW60R018CFD7XKSA1
MOSFET N CH
