ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPS60R3K4CEAKMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPS60R3K4CEAKMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
CONSUMER
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 2.6A (Tj) Through Hole PG-TO251-3
ສິນຄ້າ:
12816756
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPS60R3K4CEAKMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™ CE
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Last Time Buy
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
93 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-40°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO251-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPS60R3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,500
ຊື່ ອື່ນໆ
2156-IPS60R3K4CEAKMA1
SP001422886
ROCINFIPS60R3K4CEAKMA1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPS70R1K4P7SAKMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD3NK60Z-1
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2900
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD3NK60Z-1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.34
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TP0610K-T1
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
CSD17306Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
CSD19533Q5AT
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
