ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IPQC65R017CFD7XTMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
HIGH POWER_NEW
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
ສິນຄ້າ:
13373442
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IPQC65R017CFD7XTMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolMOS™
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
136A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12338 pF @ 400 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
694W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HDSOP-22
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
22-PowerBSOP Module
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPDQ65
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
750
ຊື່ ອື່ນໆ
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPQC65R017CFD7AXTMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
13.09
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPDQ65R017CFD7XTMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
13.19
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW