IPP80R1K4P7XKSA1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IPP80R1K4P7XKSA1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Infineon Technologies

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IPP80R1K4P7XKSA1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

ສິນຄ້າ:

507 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12803401
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IPP80R1K4P7XKSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
CoolMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 500 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
32W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TO220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IPP80R1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SP001422718

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IRFZ44NSTRR

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

infineon-technologies

IRF8714GPBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

infineon-technologies

IRF2903ZSTRLP

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

infineon-technologies

IPP200N25N3GXKSA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3